南京沃天PC90D单晶硅差压传感器是一种具有可靠过载压力保护功能的差压传感器，差压敏感核心采用了高性能的硅压阻式差压芯片，利用全焊接密封结构进行组装，并在高真空下充灌硅油，不同材质的测量膜片在隔离被测介质与差压芯片的同时，还能使传感器对各种强腐蚀性介质的压差信号进行长期可靠测量。差压传感器通过外部恒流或恒压供电激励能将被测的压差信号转换成与之线性正比的毫伏电压信号。
一、 原理
图1 硅传感器的结构图 图2 加压以后效果
采用德国进口高稳芯片
● 精度高
● 稳定性好
● 耐静压
二、 结构介绍
1 爆炸图
2 基芯部件
三、优点
1 过压保护设计
如图 所示，为克服单晶硅硅片抗过载能力不足的缺陷。该单向压力过载保护差压传感器不仅能测出现场工况在额定压力范围内的压差值，而且在发生单向压力过载的情况下还能有效地进行自我保护，避免了硅差压传感单向压力过载而引起的损坏。
2 量程比可调性能
表一 PCM3051S-DP差压变送器的量程比性能试验
结论：抽3只，量程比设置为10:1和100:1，测试结果都能达到较高精度
3 压力滞后性能
² 压力滞后特性也称回程误差特性，俗称回差，对于压力、差压变送器来说是一个较为重要的考核指标。回差的大小直接影响到变送器的测量准确性和长期漂移性能。
如图4所示，这是一张典型的单晶硅误差曲线和金属电容误差曲线的比较示意图。从图中可以看出，单晶硅原理传感器的线性误差曲线的回差极小，上行程和下行程几乎重合，其回差基本可以忽略不计；而金属电容式原理的线性误差曲线的回差较大，上行程和下行程呈开口状，直接影响到变送器的输出精度。
图4 误差曲线例图
4 静压特性
采用独特的单晶硅芯片封装工艺，封装以后其内腔和外腔达到压力平衡。如图5所示为单晶硅硅片的封装示意图，当有工作静压加载到测量硅片的正负腔时，工作静压通过硅片外部的正腔硅油和硅片内部的负腔硅油平衡加载到测量硅片上，并实现了相互抵消，从而使得测量硅片对工作静压的弯曲变形极小。这样处理大幅提升了差压变送器的静压影响性能。
5 性能指标和可靠性
PCM3051S系列高稳定性压力、差压变送器达到了国际先进水平，其主要的技术优势表现为：
⑴ 准确度等级达到0.05级；
⑵ 微差压变送器，可达0.075%FS的高测量精度，最大静压达16MPa，最小的测量差压为-200Pa~200Pa；
⑶ 差压变送器最高工作静压可达40MPa，单向过载压力最高可达40MPa；
⑷ 压力、差压传感器内部集成的高灵敏度温度传感器，使得变送器温度性能极佳，最优为≤0.04 %FS/10K；
⑸ 实现了极宽的测量范围 0-200Pa～60MPa，最高100:1的可调节量程比输出；
⑹ 远传变送器采用先进的超高温专利技术，可应用于 400℃超高温测量场合，突破了远传产品应用和测量的瓶颈。
三、差压变送器核心部件
液位法兰变送器 差压远传变送器
南京沃天科技有限公司成立于2005年，专业生产压力传感器，是国内首屈一指的压力传感器厂家，现有员工260名，年产压力传感器150多万只，产品出口70多个国家和地区，并在德国，美国，韩国成立了公司。公司在南京和鞍山设有工厂，总部在风景优美的南京九龙湖国际总部基地，外贸团队在东北重工业基地的中心沈阳。“为客户创造价值”是企业始终追寻的目标。
