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STFU9N65M2和IRLB3036PBF分立半导体

价格 6.00元/只
供应总量
40000 只
最小起订
5 只
品牌名称
原品牌
厂家区域
广东深圳市
发货期限:
自买家付款之日起 3 天内发货
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店铺信息

所在地区:广东 深圳市

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深圳市明佳达电子有限公司

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STFU9N65M2和IRLB3036PBF分立半导体 产品详情
明佳达电子供应    STFU9N65M2 和 IRLB3036PBF  晶体管    网上标价持有不确定性,价格请以当天询问为准!

一、STFU9N65M2 :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Tc)
驱动电压 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On 900 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 10nC @ 10V
Vgs ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 315pF @ 100V
功率耗散 20W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包



二、IRLB3036PBF :
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 195A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On2.4 毫欧 @ 165A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 140nC @ 4.5V
Vgs ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 11210pF @ 50V
功率耗散 380W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
 

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